naponapo

「これを書いた人、絶対素人じゃないだろ」って思って調べたら、この投稿がきっかけで本を出すことになったとんでもない素人だった。

　NANDフラッシュメモリの発明企業が東芝であることは、良く知られている。DRAMを超える記憶密度と記憶容量を実現しながら、データを電気的に書き換え可能にしたメモリだ。およそ30年前の1987年12月に、国際学会IEDMで、NANDフラッシュメモリのメモリセルがはじめて発表された(IEDM1987、講演番号25.6)。 　NANDフラッシュメモリの高密度化技術である多値記憶技術(複数のビットを1個のメモリセルに記憶する技術)をはじめて商品化したのも東芝である。およそ16年前の2001年11月12日に東芝は、2bit/セル技術(MLC技術)による1GbitのNANDフラッシュメモリを商品化したと発表した。 　さらには、メモリセルストリング(メモリセルの連なり)を垂直に立てることでNANDフラッシュメモリの記憶密度を著しく向上させる3D NAND技術をはじめてシリコンダイにして国際学会で発表したのも東芝だ。11年近く前の2007年6月に国際学会VLSI技術シンポジウムで、3D NAND技術によるメモリセルをはじめて発表した(VLSI 2007、講演番号2-2)。 　そして多値記憶技術の究極と言える、4bit/セル技術(QLC技術)を開発して大容量シリコンダイをはじめて国際学会で発表したのも東芝なのだ。約9年前の2009年2月に国際学会ISSCCで、QLC技術による64GbitのNANDフラッシュメモリをSanDiskと共同で発表した(米SanDiskと東芝が世界最大容量のNANDフラッシュを共同開発参照)。NANDフラッシュメモリの技術開発は、ほぼつねに東芝が牽引してきた。技術開発における東芝の存在は、かぎりなく大きい。 　ところが、NANDフラッシュメモリの事業(ビジネス)となると、事情が違ってくる。半導体メモリの雄、Samsung Electronicsがずっと、トップシェアを握り続けてきた。そもそものはじまりは1990年代に、東芝がセカンドソースを確保するためにSamsungにNANDフラッシュメモリ技術をライセンス供与したことだ(ライセンス供与で東芝とSamsungが提携したのは1992年)。 　1990年代後半から2000年代前半にNANDフラッシュメモリの市場が立ち上がると、トップシェアを奪ったのは東芝ではなく、Samsungだった。このため現在でも、東芝からSamsungへの技術ライセンス供与は失敗だったとする声が、半導体メモリのコミュニティには存在する。

今まで見たシルバー川柳で一番パンチが効いてたのは 「救急車 我を轢いたら 霊柩車 (東京都 90歳男性)」 99-90=09という作り込みに感動した

諸事情で1ヶ月以上オナ禁したときはちょっとした刺激ですぐフル勃起していろいろと大変であった。平成十七年大相撲秋場所でおっきしたときは死にたくなった。[904SH]

人間は、蓄積がモノを言う。 　その道10年の奴と、今期から手を出しました、では勝負にならない。　新卒と、ベテランに同じ戦力は求めない。　歩いてきた道は嘘をつかないし、知っている道は早足で抜けることが出来る。落ちた落とし穴は2度目以降は警戒する。　これは、「貯めてる奴が、貯めてる分野では強い」という当たり前の話であって、じゃあ若者は勝負にならないかというとそういう話ではない。「貯める気がある奴が強い」　若者だろうが、今まで蓄積が無かろうが「貯める気があればどこまでも蓄積されていく」。　教える側からすれば、　貯める気のある奴には、突っ込んでモノを教えるし、考え方を教える。　貯める気の無い奴には、近道と結果だけを出す方法しか教えない。　教える方だってコストが高いんだから、蓄積する気の無い奴を相手にしてられないわけだ。　教えてもらう側もこれは一緒だ。　教えてもらう側になった時は「蓄積する気がある/ない」を明確にするのがいい。　蓄積する必要がなければ、単純な手順だけ覚えてショートカットすればいい。　蓄積する必要があれば、仕組みと考え方を理解しないといけない。　それが明確なら教える方のコストだって明確だ。覚える気のない相手に、懇切丁寧に教える必要もなくなる。(大事な事なので角度を変えて2回書きました)　世の中の、やる事、やれる事の量はもう、とんでもないので。　すべてを覚える事は不可能だ。　ただし、何かをやろうとしたら、自分が出来ない事を出来る人の世話には必ずなる。　自分にない蓄積をしている人はリスペクトしたい。