#supergan

트랜스폼(Transphorm Inc.)이 4세대 GaN 플랫폼을 발표했다.

고전압 질화갈륨(GaN) 전력반도체를 선도적으로 설계하고 제조하는 트랜스폼의 최신 기술은 자사의 이전 세대 GaN 제품에 비해 성능, 설계성 및 가격 면에서 눈에 띄게 향상됐다. 이와 관련, 트랜스폼은 또 4세대 및 미래 세대 플랫폼을 SuperGaN™기술이라고 명명했다.

첫 번째 JEDEC인증 받은 SuperGaN 디바이스는 PQFN88패키지로 패킹한 240 mΩ 650 V GaN FET(전기장효과 트랜지스터)인 TP65H300G4LSG이다. 두 번째 SuperGaN디바이스는 TO-247패키지로 패킹한 35 mΩ 650 V GaN FET인 TP65H035G4WS이다. 이들 디바이스는 현재 샘플이 공급되고 있으며 각각 2분기와…

Newest High Voltage GaN Devices Bring Increased Performance and Easier Designability at Reduced Cost

Transphorm Inc.— the leader in the design and manufacturing of the highest reliability and first JEDEC- and AEC-Q101 qualified high voltage gallium nitride (GaN) power semiconductors — announced availability of its Gen IV GaN platform. Transphorm’s latest technology offers notable advancements in…