Немного о будущем 3D транзисторов и трам
http://betterfotos.tumblr.com/post/145900035554 http://itanalytics.info/post/145899762553
Немного о будущем 3D транзисторов и транзисторов в приложении к центральным процессорам и графическим адаптерам.
Как вы знаете, не так давно отгремели конференции и выставки производителей полупроводников и смежных отраслей. На ней выступали технические работники и инженеры подобных гигантов как Samsung, TSMC, GF и конечно Intel.
Дальнейшая заметка содержит большое количество слухов и кусочки из докладов прошедшей выставки. Всем читателям, кто не интересуется литографическими технологиями и микроэлектроникой читать будет скучно.
В прошлой заметке уже было сказано, что вертикальные транзисторы переходят уже на 3 поколение. Среди них уже появились техпроцессы для низкопотребляющийх устройств - это достигается компоновкой самого транзистора, но и такой интересной штукой, как другой материал затворов, а именно сложные сплавы на основе - антимониды иттрия, индия, германия.
Вы скажите, админ - век германия закончился давно, отключи бредогенератор и смени дилера. А я вам на это скажу - соединения германия, индия и иттрия все еще очень актуальны. Антимониды с данными металлами будут активно применяться в так называемых low power решениях и тут самое вкусное - найден способ получения толщины слоя в 5! атомов. Как - конечно коммерческая тайна. Но для освоения проектных норм в 14 нм пришлось таки использовать такие замысловатые сплавы. Они обеспечивают большую подвижность электронов и имеют более широкую запрещенную зону. Так же эффект туннелирования выражен более слабо - это дает возможность уменьшения токов утечки. Но в каждой бочке цистерна дегтя - толщина подзатворного диэлектрика увеличились…Сложность прокладки проводников для соединения тоже возросла.
Эра медных проводников внутри окончена…Что именно теперь - коммерческая тайна Intel - по их заявлениям потери на межчиповых соединений за счет применения нового вида проводника уменьшило потери энергии в среднем на 4-8% - это снижения и потребления и нагрева. Из интересного - в сплавах леганта затвора будущих 10 нм изделий будет использоваться…тербий и иттербий. Да да, эти дорогие лантаноиды отныне получат прописку в некоторых частях микроэлектроники для производства некоторых частей по технологии FF(FinFET)+ - эта технология предусматривает производство микрочипов с возможностью работы на высоких скоростях и минимальными задержками - но главная проблема это размещение необходимых примесных соединений именно по всей территории затвора. Толщина слоя затвора уменьшается и будет составлять от 8 до 11 атомов - против нынешних 12-18. И каждый микро дефект сильно повлияет на свойства. По этой причине пришлось в очередной раз изменить геометрию так называемого плавника. В данный момент развиваются 2 вида - пирамидальный и усеченной параллелепипед. В данный момент оба вида проходят параллельные тесты с целью понимания всех плюсов и минусов. Так же в данный момент разрабатывается технология сверхвысокого обеднения подложки вместе с технологией кремний на изоляторе. По мнению экспертов и технологов, это позволит немного изменить толщину подзатворного диэлектрика и уменьшить токи утечки.
Так же самое главное…все что ниже - уже будет использовать, на уровне слухов, нанотрубки из драг металлов или соединений высоколегированных лантаноидами.
И еще 1 слух, который обсуждали в кулуарах - создание изделий с оптическими соединениями. Да да, именно оптическими - вся сложность на данный момент это получение чистого, без искажений, сигнала - для этого нужно самособирающиеся структуры. На данный момент их активно разрабатывают, но чистота на данном этапе слишком низкая. В основе сложная композитная структура. Но увидеть прототипы раньше 20го года нам не светит…ДА, в данные исследования вкладывают и IBM, Toshiba,TSMC,UMC и так далее. А теперь и Intel.
В следующей заметке, при желании читателей, пройдусь по основным проблемам связанным с освоением тех процесса на данном и 10 нм этапе.
