Jan 12, 2023
Samsung Electronics announced the PM9C1a, a high-performance PCIe 4.0 NVMe SSD, is already in production. The PM9C1a will give enhanced computing and gaming performance in PCs and laptops thanks to [...]
Loading...
seen from Malaysia
seen from Canada
seen from Finland
seen from Poland
seen from United States
seen from United States
seen from El Salvador
seen from South Korea
seen from Poland
seen from Netherlands
seen from United States
seen from Germany
seen from United States
seen from United States
seen from Russia
seen from China
seen from United States
seen from United States
seen from United States
seen from Malaysia
Samsung Electronics announced the PM9C1a, a high-performance PCIe 4.0 NVMe SSD, is already in production. The PM9C1a will give enhanced computing and gaming performance in PCs and laptops thanks to [...]
Anya is live and ready to show you everything. Watch her strip, dance, and perform exclusive shows just for you. Interact in real-time and make your fantasies come true.
Free to watch • No registration required • HD streaming
Samsung, akıllı telefonlarda terabyte sınırını aştı
Samsung, akıllı telefonlarda terabyte sınırını aştı
Samsung’un beşinci nesil V-NAND bellekleri, 64 GB dâhili depolama alanından tam 20 kat daha fazla alan ve standart microSD kartlardan 10 kat daha yüksek hız sunuyor.
Gelişmiş bellek teknolojilerinde dünya lideri Samsung Electronics, sektördeki ilk 1 TB gömülü Evrensel Flash Depolama (eUFS) 2.1’i duyurdu. Yeni çözüm bir sonraki nesil mobil uygulamalarda kullanılacak.
Samsung, ilk UFS çözümünü (128…
View On WordPress
Samsung 4 TB SSD Disk, Samsung Terabyte SSD Diske Hızlı Geçiş için Tüketicilere yönelik SSD Disk üretimine başlıyor. Daha ucuz SSD Disklere Hazır Olun!
Samsung'un yeni 256 Gigabit V-NAND, Yüzde 40 Daha Hızlı. Sektörde ‘Toggle DDR 4.0’ arayüzünün ilk kez kullanıldığı Samsung'un yeni 256 Gigabit V-NAND çipi, depolama cihazı ile bellek modülleri arasındaki veri aktarımının hızını 64-katmanlı öncüllerine göre artırarak 1.4 Gbps değerine ulaştırıyor.
New Post has been published on http://www.thessdreview.com/daily-news/samsung-announces-mass-production-of-fifth-generation-v-nand-next-wave-of-high-performance-storage-again-has-rest-of-industry-playing-catch-up/
Samsung Announces Mass Production of Fifth-generation V-NAND – Next Wave of High-Performance Storage Again Has Rest of Industry Playing Catch-Up
Samsung is announcing that they have begun mass-production of their fifth-generation V-NAND memory chips, supporting the fastest data transfer speeds currently available. This also represents the industry’s first use of the ‘Toggle DDR 4.0’ interface, enabling the transfer of data over the new 2...
Anya is live and ready to show you everything. Watch her strip, dance, and perform exclusive shows just for you. Interact in real-time and make your fantasies come true.
Free to watch • No registration required • HD streaming
Samsung, inizia la produzione in serie della V-NAND di quinta generazione
Nuovo Articolo https://www.nerdpool.it/2018/07/10/samsung-inizia-la-produzione-in-serie-della-v-nand-di-quinta-generazione/
Samsung, inizia la produzione in serie della V-NAND di quinta generazione
Samsung ha annunciato oggi di aver iniziato la produzione su larga scala dei chip di memoria V-NAND di quinta generazione, i chip con velocità di trasferimento dati ad oggi più alta. In quello che è il primo caso di utilizzo dell’interfaccia “Toggle DDR 4.0”, la velocità di trasferimento dei dati sul nuovo V-NAND da 256 Gb ha raggiunto 1,4 Gbps (0,175 Gb/s), con un aumento del 40% rispetto al suo predecessore a 64 strati.
Il nuovo V-NAND ha la velocità di scrittura dati, a 500 microsecondi, fino ad oggi più veloce, con un miglioramento del 30% circa rispetto alla generazione precedente, mentre il tempo di risposta ai segnali di lettura è stato significativamente ridotto a 50 microsecondi.
Inoltre l’efficienza energetica del nuovo V-NAND di Samsung è rimasta pressochè invariata rispetto a quella della generazione precedente e il merito di tale traguardo è principalmente della tensione elettrica, ridotta da 1,8 volt a 1,2 volt.
Memoria V-NAND di quinta generazione
Confezionati all’interno del V-NAND di quinta generazione vi sono più di 90 strati di celle 3D CTF (Charge Trap Flash), la più grande quantità nel settore, impilati in una struttura piramidale. Nel complesso sarebbero oltre 85 miliardi le celle CTF, ciascuna in grado di memorizzare tre bit di dati.
La nuova tecnologia consente anche di ridurre l’altezza di ogni strato di cella del 20% evitando così il crosstalk tra le celle e aumentando l’efficienza dell’elaborazione dati del chip.
“I prodotti e le soluzioni della quinta generazione V-NAND di Samsung offriranno la tecnologia NAND più avanzata in un mercato in rapida crescita” ha dichiarato Kye Hyun Kyung, vicepresidente esecutivo della divisione Flash Product and Technology dell’azienda coreana, accennando poi ad un imminente introduzione sul mercato di chip di memoria V-NAND di tipo QLC (a quadruple celle) da 1 Tb.
The Samsung’s SSD (Solid State Drive) robots called ‘Victo’ push themselves, through a variety of exhilarating endurance challenges, to be the best that they can be – racing at breakneck speeds, and mastering both martial arts and the elements in...
El nuevo Samsung Galaxy S9 podría equipar hasta 512GB de almacenamiento interno
El próximo smartphone Samsung Galaxy S9 podría equipar hasta 512GB de almacenamiento interno, ya que el nuevo teléfono tope de gama de la compañía podría equipar los nuevos chips uFS de 512GB presentados recientemente para los smartphone de nueva generación. Estos nuevos chips de Samsung, incorporan en un mismo encapsulado ocho die de 64 capas V-NAND de la ultima generación y una controladora.…
View On WordPress