GaN-Leistungselektronik für bidirektionales, einphasiges DC-Laden
Forschende des Fraunhofer-Instituts für Angewandte Festkörperphysik IAF haben im Rahmen des Projekts GaN4EmoBiL (GaN-Leistungshalbleiter für Elektromobilität und Systemintegration durch bidirektionales Laden) ein leistungselektronisches Modul auf Galliumnitrid-(GaN-)Basis für bidirektionale Gleichstrom-Ladesysteme (Direct Current, DC) der 800-V-Klasse entwickelt. Der Projektpartner Ambibox GmbH…















